XC6SLX16 (የመጀመሪያው ክምችት ሙሉ ክልል)

የምርት ባህሪያት:

ስህተት ሪፖርት ያድርጉ
አዲስ ፓራሜትሪክ ፍለጋ
የአካባቢ እና ኤክስፖርት ምደባ፡-

ማስታወሻዎች፡-
1. ሁሉም ቮልቴጅ ከመሬት ጋር አንጻራዊ ነው.
2. የማህደረ ትውስታ በይነገጽ አፈጻጸምን በሰንጠረዥ 25 ተመልከት።
መደበኛ VCINT የቮልቴጅ ክልል.መደበኛው VCCINT የቮልቴጅ ክልል ለሚከተሉት ጥቅም ላይ ይውላል፡-
• MCB የማይጠቀሙ ዲዛይኖች
• LX4 መሳሪያዎች
• መሳሪያዎች በTQG144 ወይም CPG196 ጥቅሎች
• -3N የፍጥነት ደረጃ ያላቸው መሣሪያዎች
3. ለ VCCAUX የሚመከር ከፍተኛ የቮልቴጅ ውድቀት 10 mV / m ነው.
4. በማዋቀር ጊዜ፣ VCCO_2 1.8V ከሆነ፣ ከዚያ VCCAUX 2.5V መሆን አለበት።
5. የ -1L መሳሪያዎች LVDS_25፣ LVDS_33፣ BLVDS_25፣ LVPECL_25፣ RSDS_25፣ RSDS_33፣ PPDS_25፣ ሲጠቀሙ VCCAUX = 2.5V ያስፈልጋቸዋል።
እና PPDS_33 I/O ደረጃዎች በግብአት ላይ።LVPECL_33 በ -1L መሳሪያዎች ውስጥ አይደገፍም።
6. VCCO ወደ 0V ቢወርድም የማዋቀሪያ ውሂብ ተጠብቆ ይቆያል።
7. የ 1.2V፣ 1.5V፣ 1.8V፣ 2.5V እና 3.3V ቪሲኮ ያካትታል።
8. ለ PCI ሲስተሞች፣ አስተላላፊው እና ተቀባዩ ለVCCO የጋራ አቅርቦቶች ሊኖራቸው ይገባል።
9. የ -1L ፍጥነት ደረጃ ያላቸው መሳሪያዎች Xilinx PCI IP አይደግፉም.
10. በአንድ ባንክ በአጠቃላይ ከ 100 mA አይበልጡ.
11. VBATT በባትሪ የተደገፈ RAM (BBR) AES ቁልፍን VCCAUX በማይተገበርበት ጊዜ ለማቆየት ያስፈልጋል።አንዴ VCCAUX ከተተገበረ፣ VBATT ሊሆን ይችላል።
ያልተገናኘ.BBR ጥቅም ላይ በማይውልበት ጊዜ Xilinx ከ VCCAUX ወይም GND ጋር እንዲገናኙ ይመክራል።ሆኖም፣ VBATT ግንኙነት ሊቋረጥ ይችላል።Spartan-6 FPGA መረጃ ሉህ፡ ዲሲ እና የመቀየሪያ ባህሪያት
DS162 (v3.1.1) ጥር 30 ቀን 2015 ዓ.ም
www.xilinx.com
የምርት ዝርዝር
4
ሠንጠረዥ 3፡ eFUSE ፕሮግራሚንግ ሁኔታዎች(1)
የምልክት መግለጫ አነስተኛ ዓይነት ከፍተኛ ክፍሎች
ቪኤፍኤስ(2)
የውጭ ቮልቴጅ አቅርቦት
3.2 3.3 3.4 ቪ
አይኤፍኤስ
የቪኤፍኤስ አቅርቦት ወቅታዊ
- - 40 ሚ.ሜ
VCCAUX ረዳት አቅርቦት ቮልቴጅ ከጂኤንዲ 3.2 3.3 3.45 ቪ አንጻር
RFUSE(3) ውጫዊ ተከላካይ ከ RFUSE ፒን ወደ GND 1129 1140 1151
Ω
VCINT
የውስጥ አቅርቦት ቮልቴጅ ከጂኤንዲ 1.14 1.2 1.26 ቪ
tj
የሙቀት ክልል
15 - 85 ° ሴ
ማስታወሻዎች፡-
1. እነዚህ ዝርዝር መግለጫዎች በ eFUSE AES ቁልፍ ፕሮግራም ወቅት ተፈጻሚ ይሆናሉ።ፕሮግራሚንግ በJTAG በኩል ብቻ ነው የሚደገፈው።የAES ቁልፍ ብቻ ነው።
በሚከተሉት መሳሪያዎች ውስጥ ይደገፋል፡ LX75፣ LX75T፣ LX100፣ LX100T፣ LX150 እና LX150T።
2. eFUSE በሚዘጋጅበት ጊዜ፣ VFS ከVCAUX ያነሰ ወይም እኩል መሆን አለበት።ፕሮግራሚንግ በማይደረግበት ጊዜ ወይም eFUSE ጥቅም ላይ በማይውልበት ጊዜ, Xilinx
ቪኤፍኤስን ከጂኤንዲ ጋር ማገናኘት ይመክራል።ሆኖም፣ ቪኤፍኤስ በጂኤንዲ እና በ3.45 ቪ መካከል ሊሆን ይችላል።
3. የ eFUSE AES ቁልፍ ፕሮግራም ሲዘጋጅ RFUSE resistor ያስፈልጋል።ፕሮግራሚንግ በማይደረግበት ጊዜ ወይም eFUSE ጥቅም ላይ በማይውልበት ጊዜ, Xilinx
የ RFUSE ፒን ወደ VCCAUX ወይም GND ማገናኘት ይመክራል።ሆኖም፣ RFUSE ያልተገናኘ ሊሆን ይችላል።